中科院微电子所罗军研究员讲解“先进源漏接触技术”

  • 向兰兰
  • 日期:2017-11-25
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      2017年11月15日19点,中科院微电子所研究员罗军做客由中国科学院大学微电子学院主办的“集成电路新技术及应用”系列讲座。本次讲座在国科大雁栖湖校区教1-107举行,罗军老师为同学们带来了题为“先进源漏接触技术”的精彩讲座。

      罗老师首先为大家简要介绍了漏源硅化物技术,通过拓展区电阻和接触电阻在器件中比重演变指出,硅化物技术对于降低漏源电阻尤其是接触电阻至关重要。紧接着罗老师讲解了硅化物技术的演变,即从到再到。几种硅化物技术分别面临着不同的技术挑战,例如的挑战就是在细线条中难以形成低阻的C54 相;Si扩散在侧墙上形成,导致栅与漏源短路;形成温度高;消耗Si最多等。而硅化物有其独特的优势,我们可以利用掺C或N的方式提高的热稳定性,并以此来制备超薄超高热稳定性的薄膜。

      罗老师还向大家介绍了调制硅化物肖特基势垒高度的常用技术:杂质分凝技术,并且以硼和砷为例阐述了杂质分凝对肖特基势垒高度的影响。在此基础上还有改进的硅化物杂质分凝技术,改进后的技术对调制势垒高度更加有效,可以更加显著地降低接触电阻。

      接下来老师又讲解了如何控制Ni硅化物在沟道区的穿通,以及Ni硅化物技术在器件中的集成和先进的欧姆接触技术。

      最后,老师对今天的报告进行了总结:掺C和N可以将薄膜的热稳定性提高150;超薄外延的Ni及NiPt硅化物薄膜具有超高的热稳定性;三种Ni硅化策略均可以控制向沟道区的横向侵入;集成了以上Ni硅化物技术的平面和三维器件具有良好的器件特征。

      讲座进入尾声,罗军老师与同学们进行了互动,并对同学们的疑问进行了认真解答。在这两个小时的讲解中,同学们既结合到了课堂所学,又了解了前沿的科学技术,受益匪浅。