中科院微电子所赵超研究员讲解“延伸摩尔定律---CMOS工艺技术的历史沿革和未来展望”

  • 供稿:刘栋 摄影:刘栋
  • 日期:2017-11-06
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      2017年11月3日晚19时,中科院微电子所研究员赵超老师做客我院主办的“集成电路新技术及应用”系列讲座,在教一207教室为国科大学子带来了一场题为“延伸摩尔定律---CMOS工艺技术的历史沿革和未来展望”的精彩讲座。

      赵超,中国科学院微电子研究所研究员,集成电路先导工艺研发中心主任,主要从事集成电路先导工艺的研发。曾在欧洲微电子研发中心(IMEC)任资深科学家。期间,参加IMEC组织的具有重大国际影响力的集成电路先导工艺研发工业联盟项目。在高-k金属栅,铜互连,铜接触,三维穿硅通孔封装等邻域做出重要工作。先后在国际学术期刊和会议上发表科研论文130余篇,总体引用率超过1000次,完成发明专利申请80项,其中已获美国欧洲专利授权5项。

      赵超老师将计算机的发展史作为引子,从图灵到冯诺依曼,到里程碑式的4004处理器面世到Microsoft Windows的诞生,向同学们展示了摩尔定律对世界的改造。赵老师指出,为了实现摩尔定律的小型化战略,设计者必须关注CMOS的速度,功耗,集成度和阈值电压,这就要求流片的各个环节技术的革新。赵老师以数据,图表的形式,向同学们详细讲解了主要制约摩尔定律的光刻技术在线宽,产能,套刻精度方面的不断发展。从浸没式光刻机,二次曝光技术到下一代光刻技术—极紫外光刻机,光刻技术的发展延长了摩尔定律的寿命。在逻辑器件方面,应变工程,降低漏电功耗的高-k金属栅,抑制短沟道效应的FinFETs,作为近年来先进的技术,不断运用到生产中,拯救了人们对摩尔定律的信心。

      展望未来的逻辑器件,赵老师指出FinFET向纳米线FETs过渡,高迁移率FinFETs,竖直纳米线FETs可能是未来研究的方向。但在后冯诺依曼时代,CMOA器件在工艺方面迟迟无法突破,摩尔定律已显疲态,未来的发展方向还不明朗。赵老师以他对工艺研发前沿发展现状的理解,不断启发着同学们对未来逻辑器件发展方向的思考。

      赵超老师以摩尔定律为切入点,介绍了CMOS工艺技术的历史沿革和后MOS时代技术展望两方面内容。用深入浅出的语言,幽默风趣的表达方式,带领同学们走进了摩尔定律的世界。