中科院微电子所殷华湘研究员讲解“集成电路中的新器件”

  • 供稿:李敏 摄影:李敏
  • 日期:2017-11-06
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      2017年11月1日晚19时,中科院微电子所研究员殷华湘老师莅临我院主办的“集成电路新技术及应用”系列讲座,为国科大的学子带来了精彩的专题讲座“集成电路中的新器件”。

      本次系列讲座由中国科学院大学微电子学院主办,共分为7个部分,内容涵盖了集成电路的设计、关键器件以及先进工艺等方面。主讲人均由来自于中科院微电子所得优秀导师担任。

      殷华湘老师,中国科学院微电子研究所研究员,主要从事先进集成电路技术、新型氧化物传感器件的研究。迄今发表超过30余篇学术论文,进行10余次的国际学术报告,曾承担或参与的科研项目有:重大专项项目“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”等,目前拥有国内外专利申请100余项,其中美国专利超过30余项。

      在本次讲座中,殷老师利用详细的数据和直观的曲线图以核心器件—MOS晶体管摩尔定律尺寸微缩、集成度、性能大幅提高为发展主线,分析了逻辑集成电路(IC)发展趋势;同时介绍了现今MOS晶体管的关键技术挑战,指出若要革新技术,便要提升性能、减少功耗。

      殷老师指出,3D FinFET是兼容主流IC平面工艺的新器件,其技术已成为IC国际产业界的主流技术,但是国内目前落后2~3个技术代,老师教导我们新一代的年轻人要担负起集成电路器件发展的重担,用我们的勤奋和智慧缩小与国外的技术差距。

      最后,殷老师总结到:环栅纳米线与高迁移率沟道新器件是Post-FinFET的主要发展方向,前者较为成熟,而后者仍然面临不少挑战;另外,Beyond Moore等新原理器件是IC突破晶体管能效发展限制的基本方式,但受技术限制,其综合性能指标目前相比最新硅基MOSFET仍具有较大差距。

      在历时2个小时零20分钟的讲座中,殷老师详细的数据、形象的图表向同学们展示了各新型器件技术及优势,同学们纷纷表示收获颇多,感谢老师的传道受业解惑。